Az alapkristály egy gyengén szennyezett P-típusú réteg.
Az alapkristályban két erősen szennyezett N-típusú réteget alakítanak ki.
A gate-elektróda feszültségmentes állapotában az IDS nem folyik, az eszköz önzáró.
Az ID áram teljesítmény felvétele nélkül vezérelhető.
A gate-elektródára pozitív feszültséget kapcsolva az alapkristályban kialakutó villamos tér a kisebbségi töltéshordozókat (elektronok) a szigetelő réteg alá vándorolnák, és kialakul egy N-típusú vezető csatorna.
A csatorna vezetőképessége az UGS feszültséggel szabályozható.
Az önvezető (kiürítéses) MOSFET:
A source-elektróda és drain-elektróda között egy vékony, gyengén szennyezett N-típusú csatornát alakítanak ki.
A gate-elektróda feszültségmentes állapotában is folyik az IDS áram: az eszköz önvezető.
Az eszköz két üzemmódban működhet: dúsításos üzemmód (UGS > 0 V), kiürítéses üzemmód (UGS < 0 V)
