Tranzisztor jelleggörbéi

Közös emitteres kapcsolás:

Bemeneti jelleggörbe:

A jelleggörbe felvétele során az U_CE feszültég állandó.

• Egyenáramú bemeneti ellenállás:

R_BE=U_BE/I_B

• Differencális bemeneti ellenállás:

R_BE=ΔU_BE/ΔI_B

Kimeneti jelleggörbe:

A jelleggörbe felvétele során az I_B áram állandó.

• Egyenáramú kimeneti ellenállás:

R_CE=U_CE/I_C

• Differencális kimeneti ellenállás:

R_CE=ΔU_CE/ΔI_C

Áramvezérlési jelleggjörbe:

A jelleggörbe felvétele során az U_CE feszültég állandó.

• Egyenáramú erősítés:

B=I_C/I_B

• Differenciális áramerősítési tényező:

β=ΔI_C/ΔI_B

Lezárás:

A bázis-emitter feszültség záróirányú, az emitteráram és a kollektoráram is nulla lesz, a tranzisztor lezár.

Telítés:

Ebben a szakaszban tranzisztor U_CE feszültsége kisebb mint az U_BE feszültség, azaz a kollektor-bázis előfeszítése nyitóirányú lesz! A kollektor áram és ezzel együtt az áramerősítés mértéke is lecsökken. A bázisrétegben nagyon sok töltéshordozó van, ilyenkor a tranzisztor lezárása csak nagy késleltetéssel következik be.

Letörés:

Minden tranzisztorra megadják a p-n átmenetekre kapcsolható legnagyobb zárófeszültség értékét. Ennél a feszültségnél a rétegekben a letörés jelensége tapasztalható. A maximális feszültséget átlépve a tranzisztor tönkremegy.